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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Comparez
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Note globale
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Note globale
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
26.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
870.4
19.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
14
87
Autour de -521% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
87
14
Vitesse de lecture, GB/s
3,155.6
26.4
Vitesse d'écriture, GB/s
870.4
19.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
417
4362
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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