RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Comparez
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Note globale
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
10.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
870.4
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
87
Autour de -149% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
87
35
Vitesse de lecture, GB/s
3,155.6
10.3
Vitesse d'écriture, GB/s
870.4
8.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
417
2327
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB Comparaison des RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link