RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Comparez
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Note globale
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Note globale
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
10.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
870.4
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
87
Autour de -164% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
87
33
Vitesse de lecture, GB/s
3,155.6
10.3
Vitesse d'écriture, GB/s
870.4
8.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
417
2235
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link