RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Comparez
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Note globale
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Note globale
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
14.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
870.4
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
87
Autour de -222% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
87
27
Vitesse de lecture, GB/s
3,155.6
14.1
Vitesse d'écriture, GB/s
870.4
8.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
417
2436
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link