RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Comparez
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Note globale
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Note globale
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
870.4
10.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
87
Autour de -211% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
5300
Autour de 4.83 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
87
28
Vitesse de lecture, GB/s
3,155.6
15.4
Vitesse d'écriture, GB/s
870.4
10.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
25600
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
417
2892
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link