RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Comparez
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Note globale
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Note globale
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
870.4
11.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
87
Autour de -156% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
87
34
Vitesse de lecture, GB/s
3,155.6
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
870.4
11.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
417
2776
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Golden Empire CL34-38-38 D5-5200 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Samsung M393B5170GB0-CMA 4GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link