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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Comparez
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Note globale
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Note globale
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
870.4
10.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
41
87
Autour de -112% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
87
41
Vitesse de lecture, GB/s
3,155.6
12.7
Vitesse d'écriture, GB/s
870.4
10.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
417
2621
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaison des RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
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