Comparaison de la RAM TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

Note globale

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

870.4 8.6

Valeur moyenne dans les tests

Raisons de considérer
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

32 87

Autour de -172% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

9.8 3

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

17000 5300

Autour de 3.21 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge

5-5-5-15 / 667 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

417 2271

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns