RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Comparez
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Note globale
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Note globale
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
870.4
8.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
87
Autour de -172% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
9.8
3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
87
32
Vitesse de lecture, GB/s
3,155.6
9.8
Vitesse d'écriture, GB/s
870.4
8.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
417
2271
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link