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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Comparez
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Note globale
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Note globale
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
10.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
870.4
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
48
87
Autour de -81% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
87
48
Vitesse de lecture, GB/s
3,155.6
10.8
Vitesse d'écriture, GB/s
870.4
8.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
417
2431
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaison des RAM
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Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
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Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
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Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
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