RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Comparez
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Note globale
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Note globale
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
11.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
870.4
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
47
87
Autour de -85% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
87
47
Vitesse de lecture, GB/s
3,155.6
11.6
Vitesse d'écriture, GB/s
870.4
8.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
417
2537
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Team Group Inc. Dark-1866 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link