RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Comparez
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Note globale
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Note globale
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
53
Autour de -61% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.4
1,590.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
53
33
Vitesse de lecture, GB/s
3,726.4
16.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,590.1
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
522
3089
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparaison des RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A
Kingston ACR16D3LS1KBG/4G 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link