RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Comparez
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Note globale
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Note globale
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
53
Autour de -89% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.9
1,590.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
53
28
Vitesse de lecture, GB/s
3,726.4
17.9
Vitesse d'écriture, GB/s
1,590.1
14.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
522
3460
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparaison des RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link