RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Comparez
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Note globale
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Note globale
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
19.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
53
Autour de -89% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.9
1,590.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
53
28
Vitesse de lecture, GB/s
3,726.4
19.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,590.1
14.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
522
3495
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparaison des RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link