RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Comparez
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Note globale
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
20
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
53
Autour de -179% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.2
1,590.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
53
19
Vitesse de lecture, GB/s
3,726.4
20.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,590.1
16.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
522
3542
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparaison des RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link