RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Comparez
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Note globale
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
53
73
Autour de 27% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
14.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.8
1,590.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
53
73
Vitesse de lecture, GB/s
3,726.4
14.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,590.1
7.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
522
1736
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparaison des RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link