RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Comparez
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Note globale
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Note globale
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
53
66
Autour de 20% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.3
1,590.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
53
66
Vitesse de lecture, GB/s
3,726.4
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,590.1
8.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
522
1985
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparaison des RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link