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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Comparez
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Note globale
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
53
Autour de -71% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.6
1,590.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
53
31
Vitesse de lecture, GB/s
3,726.4
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,590.1
13.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
522
3371
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparaison des RAM
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G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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