RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Comparez
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Note globale
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
20.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
53
Autour de -141% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.2
1,590.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
53
22
Vitesse de lecture, GB/s
3,726.4
20.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,590.1
17.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
522
4116
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparaison des RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD32G160081 2GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link