RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Comparez
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Note globale
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
18.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
53
Autour de -83% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.1
1,590.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
53
29
Vitesse de lecture, GB/s
3,726.4
18.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,590.1
14.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
522
3434
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparaison des RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Kingston HP687515-H66-MCN 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
AMD R334G1339U2S 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link