RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Comparez
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Note globale
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
22.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
53
Autour de -77% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.3
1,590.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
53
30
Vitesse de lecture, GB/s
3,726.4
22.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,590.1
16.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
522
3873
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparaison des RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link