RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Comparez
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Note globale
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
19.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
53
Autour de -96% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.4
1,590.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
53
27
Vitesse de lecture, GB/s
3,726.4
19.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,590.1
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
522
3399
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparaison des RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link