RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Comparez
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Note globale
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
18.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
53
Autour de -61% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.7
1,590.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
53
33
Vitesse de lecture, GB/s
3,726.4
18.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,590.1
14.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
522
3596
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparaison des RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link