RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Comparez
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Note globale
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
53
Autour de -77% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.0
1,590.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
53
30
Vitesse de lecture, GB/s
3,726.4
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,590.1
17.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
522
3773
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparaison des RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Samsung M393B2G70DB0-CMA 16GB
Samsung M393B2G70EB0-CMA 16GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link