RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Comparez
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Note globale
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
19.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
53
Autour de -112% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.6
1,590.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
53
25
Vitesse de lecture, GB/s
3,726.4
19.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,590.1
15.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
522
3803
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparaison des RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link