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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Comparez
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Note globale
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Note globale
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
53
Autour de -130% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
1,590.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
53
23
Vitesse de lecture, GB/s
3,726.4
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,590.1
12.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
522
3098
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparaison des RAM
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Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
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