RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Comparez
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Note globale
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Note globale
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
53
Autour de -130% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
1,590.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
53
23
Vitesse de lecture, GB/s
3,726.4
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,590.1
12.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
522
3098
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparaison des RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1600 CL9 Series-XP 8GB
Crucial Technology BLS4G3D1609DS1S00 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link