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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Comparez
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Note globale
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
41
53
Autour de -29% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
7.8
3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.1
1,590.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
53
41
Vitesse de lecture, GB/s
3,726.4
7.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,590.1
6.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
522
1512
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparaison des RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
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