RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Comparez
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Note globale
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Note globale
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
53
73
Autour de 27% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
14.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.2
1,590.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
53
73
Vitesse de lecture, GB/s
3,726.4
14.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,590.1
7.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
522
1650
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparaison des RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link