RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Comparez
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Note globale
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Note globale
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
53
Autour de -51% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.4
1,590.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
53
35
Vitesse de lecture, GB/s
3,726.4
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,590.1
10.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
522
2672
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparaison des RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link