RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Comparez
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Note globale
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Note globale
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
53
Autour de -47% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.1
1,590.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
53
36
Vitesse de lecture, GB/s
3,726.4
16.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,590.1
11.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
522
2653
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparaison des RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB Comparaison des RAM
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Team Group Inc. 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link