RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Comparez
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Note globale
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Note globale
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
10.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
49
53
Autour de -8% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.3
1,590.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
53
49
Vitesse de lecture, GB/s
3,726.4
10.9
Vitesse d'écriture, GB/s
1,590.1
8.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
522
2413
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparaison des RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Mushkin 991586 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link