RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Comparez
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Note globale
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Note globale
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
53
72
Autour de 26% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.0
1,590.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
53
72
Vitesse de lecture, GB/s
3,726.4
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,590.1
8.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
522
1593
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparaison des RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Comparaison des RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Elpida EBJ41UF8BCF0-DJ-F 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EF68F9W1600 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link