RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Comparez
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Note globale
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Note globale
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
53
Autour de -43% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
1,590.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
53
37
Vitesse de lecture, GB/s
3,726.4
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,590.1
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
522
2314
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparaison des RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link