RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Comparez
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Note globale
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Note globale
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
53
Autour de -83% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.1
1,590.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
53
29
Vitesse de lecture, GB/s
3,726.4
17.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,590.1
14.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
522
3434
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparaison des RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link