RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Comparez
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Note globale
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Note globale
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
17.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
96
Autour de -243% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.3
1,336.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
96
28
Vitesse de lecture, GB/s
2,725.2
17.9
Vitesse d'écriture, GB/s
1,336.0
15.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
438
3733
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link