RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Comparez
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Note globale
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Note globale
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
18.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
96
Autour de -269% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.1
1,336.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
96
26
Vitesse de lecture, GB/s
2,725.2
18.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,336.0
14.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
438
3596
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB Comparaison des RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link