RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Comparez
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Note globale
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Note globale
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
18.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
96
Autour de -256% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.8
1,336.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
96
27
Vitesse de lecture, GB/s
2,725.2
18.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,336.0
15.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
438
3712
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Samsung M4 70T5267AZ3-CF7 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link