RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Comparez
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Note globale
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
16.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
96
Autour de -300% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.1
1,336.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
96
24
Vitesse de lecture, GB/s
2,725.2
16.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,336.0
13.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
438
2850
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston 99U5469-035.A00LF 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link