RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Comparez
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Note globale
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Note globale
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
15.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
69
96
Autour de -39% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.7
1,336.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
96
69
Vitesse de lecture, GB/s
2,725.2
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,336.0
7.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
438
1831
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB Comparaison des RAM
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link