RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Comparez
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Note globale
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Note globale
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
19.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
96
Autour de -231% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.3
1,336.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
96
29
Vitesse de lecture, GB/s
2,725.2
19.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,336.0
15.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
438
3557
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link