RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Comparez
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Note globale
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
16.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
96
Autour de -256% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.2
1,336.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
96
27
Vitesse de lecture, GB/s
2,725.2
16.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,336.0
13.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
438
3033
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Inmos + 256MB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link