RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Comparez
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Note globale
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Note globale
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
14.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
75
96
Autour de -28% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.3
1,336.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
96
75
Vitesse de lecture, GB/s
2,725.2
14.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,336.0
6.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
438
1548
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link