RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Comparez
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Note globale
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Note globale
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
14.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
96
Autour de -210% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
1,336.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
96
31
Vitesse de lecture, GB/s
2,725.2
14.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,336.0
9.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
438
2640
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link