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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Comparez
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Note globale
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Note globale
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
18.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
96
Autour de -336% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.4
1,336.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
96
22
Vitesse de lecture, GB/s
2,725.2
18.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,336.0
14.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
438
3394
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
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