RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Comparez
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Note globale
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Note globale
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
96
Autour de -231% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.3
1,336.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
96
29
Vitesse de lecture, GB/s
2,725.2
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,336.0
9.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
438
2202
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link