RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Comparez
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Note globale
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Note globale
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
17.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
96
Autour de -191% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
1,336.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
96
33
Vitesse de lecture, GB/s
2,725.2
17.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,336.0
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
438
2910
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link