RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Comparez
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Note globale
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Note globale
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
18.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
96
Autour de -191% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.8
1,336.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
96
33
Vitesse de lecture, GB/s
2,725.2
18.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,336.0
13.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
438
3341
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link