RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Comparez
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Note globale
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Note globale
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
18.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
96
Autour de -191% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.8
1,336.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
96
33
Vitesse de lecture, GB/s
2,725.2
18.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,336.0
13.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
438
3341
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link