RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Comparez
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Note globale
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Note globale
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
10.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
53
96
Autour de -81% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.7
1,336.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
96
53
Vitesse de lecture, GB/s
2,725.2
10.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,336.0
7.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
438
2356
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
INTENSO 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link