RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Comparez
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Note globale
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
15.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
96
Autour de -300% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.3
1,336.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
96
24
Vitesse de lecture, GB/s
2,725.2
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,336.0
10.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
438
2541
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link