RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Comparez
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Note globale
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
96
Autour de -220% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
1,336.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
96
30
Vitesse de lecture, GB/s
2,725.2
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,336.0
11.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
438
2341
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link