RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Comparez
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Note globale
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
14.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
96
Autour de -300% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
1,336.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
96
24
Vitesse de lecture, GB/s
2,725.2
14.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,336.0
11.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
438
2879
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link